世界初のダイヤモンド半導体トランジスタ製作、動作実証に成功：金沢大学／産業技術総合研究所
(2016年8月22日発表)
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規則夫准教授らの研究グループは（国）産業技術総合研究所（産総研）ダイヤモンドデバイス研究チームの山崎聡招へい研究員、加藤宙光主任研究員、(株)デンソーの研究陣との共同でダイヤモンド半導体のトランジスタを世界で初めて作製、その動作実証に成功した、と8月22日発表した。
ダイヤモンド半導体はシリコン半導体と同じ単元素半導体で、シリコンカーバイドや窒化ガリウムといった化合物半導体よりも熱伝導率や絶縁破壊電界などに優れているので、大幅な省エネが可能な次世代パワーデバイス材料とされている。しかし、高品質な酸化膜やダイヤモンド半導体界面構造の形成が難しく、パワーデバイスで重要となるOFF時に電流が流れない特性（ノーマリーオフ特性）を持つ反転層チャネルダイヤモンドMOSFETはこれまで実現していなかった。
今回、研究グループは独自の手法（マイクロ波プラズマ化学気相成長法）で母体となるn型ダイヤモンド半導体層及び酸化膜とダイヤモンド半導体層界面の高品質化に成功。これを基にMOSFETを作成し、その動作実証に成功した。今回動作が実証されたダイヤモンド半導体パワーデバイスが自動車、新幹線、飛行機、ロボット、人工衛星、ロケット、送配電システムなどに導入されることで、ダイヤモンドパワーエレクトロニクスの道が大きく切り開かれるものと期待されている。
